由于MOSFET的开关特与驱动电路的能密切相关,设计的驱动电路能够地改善MOSFET的开关特,从而减少开关损耗,提整机效率及功率器件工作的稳定。因此MOSFET驱动电路应以下要求: ① 导通时驱动电路应该能够提供足够大的驱动电流为输入电容充电,使MOSFET栅源电压迅速上升到所需值,开关管能迅速导通且不存在上升沿的频振荡。 ② 为使MOSFET可靠导通,栅电压(驱动电压)应于开启电压UT(3~5V),为减小导通电阻及导通损耗,应在不过栅击穿电压的前提下尽量加大栅驱动电压。 ③ 为加速关断,在关断时建立负的栅源电压,并给输入电容提供低阻抗的放电通道以加速电容放电,开关管能够关断。 ④ 关断期间驱动电路能提供的负电压以避免受到干扰产生误导通。 ⑤ 要求驱动电路结构简单可靠,损耗小,有。